【场效应管h20r1202参数】H20R1202是一款常见的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源等电子电路中。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具备良好的导通特性与开关性能，适用于高效率的电力转换系统。
以下是对H20R1202的主要参数进行的总结：
一、基本参数总结
H20R1202是一款N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，适合在中等功率应用中使用。其主要参数包括最大额定电压、电流、功率损耗、工作温度范围等。
二、详细参数表格
| 参数名称 | 数值/规格 |
| 型号 | H20R1202 |
| 类型 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 最大漏源电压 (Vds) | 650 V |
| 最大栅源电压 (Vgs) | ±20 V |
| 最大漏极电流 (Id) | 20 A |
| 导通电阻 (Rds(on)) | 0.08 Ω @ 10 A, 10 V |
| 开关频率 | 100 kHz - 500 kHz |
| 工作温度范围 | -55°C 至 +150°C |
| 封装类型 | TO-220AB / TO-247 |
| 热阻 (Rth(j-c)) | 1.2 °C/W |
| 最大耗散功率 (Pd) | 130 W |
| 栅极电荷 (Qg) | 23 nC @ 10 V |
| 反向恢复时间 (trr) | < 20 ns |
三、应用场景
H20R1202适用于多种电力电子应用，如：
- DC-DC转换器
- 开关电源（SMPS）
- 电机驱动电路
- 逆变器与变频器
- 电池管理系统
由于其较高的耐压能力和较低的导通电阻，H20R1202在需要高效能和稳定性的场合中表现优异。
四、注意事项
- 在使用时需注意栅极驱动电压，避免超过最大栅源电压。
- 需确保散热良好，以防止因过热导致性能下降或损坏。
- 推荐使用适当的缓冲电路，以减少开关过程中的电压尖峰。
如需进一步了解H20R1202的具体应用设计或选型建议，可参考相关厂商提供的数据手册或技术文档。